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当挑选旁路和去耦电容时，会牵涉到核算电容器的充、放电自谐振频率，这可经过逻辑系列结合所运用的时钟速度核算。电容器的电容值挑选仍是有必要依据该电容器在电路中的容抗。低于谐振频率以下，电容器表现为容性，高于谐振频率以上，电容器表现为理性。如表1所示，描绘了两种类型的陶瓷电容器的自谐振频率，其间一种是规范的0.25 In引线类型，另一种是外表装置类型。可从表中发现，外表装置电容器的自谐振频率比规范的0.25 In引线类型的要高许多。这种更高的自谐振频率是由于它有更低的引线电感，更小的封装尺度。如表5－2所示，显现了不同频率下的15nH电感器的感抗值。这个感抗值是由电容器的引线长度和在典型PCB上的装置办法所决议的。
引线电容仅仅是有引线的外表装置器材。一般来说，一个典型的引线电容其电感均匀大约为每0.1in引线 nH。由此计算，外表装置电容器的引线 电容器的自谐振频率大约值（根据引线长度）
电感器的频率改动时，其阻抗值也会改动，不像电容器那样改动谐振呼应。在电感器周围的寄生电容会产生并联谐振从而改动其呼应。电路的频率越高，其阻抗越大。当运用电容器作为去耦考虑时，由于存在引线中的电感，所以规划中有必要要点考虑。外表电容器在更高频率时的性能比径向或轴向电容要好，是由于其有更低的内部引线 nH电感的感抗与频率对照表
当对很多的电容器样品在试验环境下来测验后，会观察到一个风趣的现象：与猜测相同，在剖析得到的频率上该电容器产生自谐振。自谐振频率在很多样品中改动显着，这首要源于电容器的公役率。由于在制造的过程中，电容器的公役率一般为±10％，优质电容器在±2％～5％。制造上的公役影响元件的电容值，实践的自谐振频率依赖于器材的公役比率。假如一个规划需求严厉的讲究，就要求运用贵重的精细电容器。